Tiristor çipi
Tiristor çipi
RUNAU Electronics tərəfindən istehsal edilən tiristor çipi ilk olaraq GE emal standartı və texnologiyası ilə təqdim edilmiş və ABŞ tətbiq standartına uyğundur və dünya üzrə müştərilər tərəfindən keyfiyyətə malikdir.O, güclü istilik yorğunluğuna davamlılıq xüsusiyyətləri, uzun xidmət müddəti, yüksək gərginlik, böyük cərəyan, güclü ətraf mühitə uyğunlaşma qabiliyyəti və s. kimi xüsusiyyətlərə malikdir. 2010-cu ildə RUNAU Electronics GE və Avropa texnologiyasının ənənəvi üstünlüyünü, performansını və performansını birləşdirən tiristor çipinin yeni modelini işləyib hazırlayıb. səmərəliliyi əhəmiyyətli dərəcədə optimallaşdırıldı.
Parametr:
| Diametr mm | Qalınlıq mm | Gərginlik V | Qapı Dia. mm | Katod Daxili Çap. mm | Cathode Out Dia. mm | Tjm ℃ |
| 25.4 | 1,5±0,1 | ≤2000 | 2.5 | 5.6 | 20.3 | 125 |
| 25.4 | 1.6-1.8 | 2200-3500 | 2.6 | 5.6 | 15.9 | 125 |
| 29.72 | 2±0,1 | ≤2000 | 3.3 | 7.7 | 24.5 | 125 |
| 32 | 2±0,1 | ≤2000 | 3.3 | 7.7 | 26.1 | 125 |
| 35 | 2±0,1 | ≤2000 | 3.8 | 7.6 | 29.1 | 125 |
| 35 | 2.1-2.4 | 2200-4200 | 3.8 | 7.6 | 24.9 | 125 |
| 38.1 | 2±0,1 | ≤2000 | 3.3 | 7.7 | 32.8 | 125 |
| 40 | 2±0,1 | ≤2000 | 3.3 | 7.7 | 33.9 | 125 |
| 40 | 2.1-2.4 | 2200-4200 | 3.5 | 8.1 | 30.7 | 125 |
| 45 | 2,3±0,1 | ≤2000 | 3.6 | 8.8 | 37.9 | 125 |
| 50.8 | 2,5±0,1 | ≤2000 | 3.6 | 8.8 | 43.3 | 125 |
| 50.8 | 2.6-2.9 | 2200-4200 | 3.8 | 8.6 | 41.5 | 125 |
| 50.8 | 2.6-2.8 | 2600-3500 | 3.3 | 7 | 41.5 | 125 |
| 55 | 2,5±0,1 | ≤2000 | 3.3 | 8.8 | 47.3 | 125 |
| 55 | 2.5-2.9 | ≤4200 | 3.8 | 8.6 | 45.7 | 125 |
| 60 | 2.6-3.0 | ≤4200 | 3.8 | 8.6 | 49.8 | 125 |
| 63.5 | 2.7-3.1 | ≤4200 | 3.8 | 8.6 | 53.4 | 125 |
| 70 | 3.0-3.4 | ≤4200 | 5.2 | 10.1 | 59.9 | 125 |
| 76 | 3.5-4.1 | ≤4800 | 5.2 | 10.1 | 65.1 | 125 |
| 89 | 4-4.4 | ≤4200 | 5.2 | 10.1 | 77.7 | 125 |
| 99 | 4.5-4.8 | ≤3500 | 5.2 | 10.1 | 87.7 | 125 |
Texniki spesifikasiya:
RUNAU Electronics faza idarə olunan tiristorun və sürətli keçid tiristorunun güc yarımkeçirici çiplərini təmin edir.
1. Aşağı vəziyyətdə gərginliyin azalması
2. Alüminium təbəqənin qalınlığı 10 mikrondan çoxdur
3. İkiqat mühafizə mesa
Məsləhətlər:
1. Daha yaxşı performans göstərmək üçün molibden parçalarının oksidləşməsi və rütubəti nəticəsində yaranan gərginliyin dəyişməsinin qarşısını almaq üçün çip azot və ya vakuum şəraitində saxlanmalıdır.
2. Çip səthini həmişə təmiz saxlayın, lütfən əlcək geyin və çılpaq əllərlə çipə toxunmayın
3. İstifadə prosesində ehtiyatla işləyin.Qapının və katodun dirək sahəsindəki çipin qatran kənar səthinə və alüminium təbəqəsinə zərər verməyin.
4. Sınaq və ya inkapsulyasiya zamanı lütfən nəzərə alın ki, qurğunun paralelliyi, yastılığı və sıxma qüvvəsi müəyyən edilmiş standartlara uyğun olmalıdır.Zəif paralellik qeyri-bərabər təzyiqə və çipin güclə zədələnməsinə səbəb olacaqdır.Həddindən artıq sıxac qüvvəsi tətbiq edilərsə, çip asanlıqla zədələnəcəkdir.Tətbiq olunan sıxac qüvvəsi çox kiçik olarsa, zəif təmas və istilik yayılması tətbiqə təsir edəcəkdir.
5. Çipin katod səthi ilə təmasda olan təzyiq bloku tavlanmalıdır
Qısqac Gücünü tövsiyə edin
| Çiplərin ölçüsü | Clamp Force Tövsiyəsi |
| （KN）±10% | |
| Φ25.4 | 4 |
| Φ30 və ya Φ30.48 | 10 |
| Φ35 | 13 |
| Φ38 və ya Φ40 | 15 |
| Φ50.8 | 24 |
| Φ55 | 26 |
| Φ60 | 28 |
| Φ63.5 | 30 |
| Φ70 | 32 |
| Φ76 | 35 |
| Φ85 | 45 |
| Φ99 | 65 |